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Silizium-Halbleitertechnologie

Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik

  • Textbook
  • © 2014

Overview

Authors:
  1. Ulrich Hilleringmann

    1. Fakultät Elektrotechnik, Informatik, Universität Paderborn, Paderborn, Germany

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  • Umfassende Darstellung der Fertigungsverfahren bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen
  • Fertigungsverfahren und Technologien in der Mikroelektronik
  • Aktuelle Verfahren der mikroelektronischen Integrationstechnik
  • Includes supplementary material: sn.pub/extras

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Table of contents (13 chapters)

  1. Front Matter

    Pages I-XI
    Download chapter PDF

  2. Einleitung

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 1-4

  3. Herstellung von Siliziumscheiben

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 5-20

  4. Oxidation des Siliziums

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 21-31

  5. Lithografie

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 33-55

  6. Ätztechnik

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 57-76

  7. Dotiertechniken

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 77-98

  8. Depositionsverfahren

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 99-116

  9. Metallisierung und Kontakte

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 117-132

  10. Scheibenreinigung

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 133-141

  11. MOS-Technologien zur Schaltungsintegration

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 143-167

  12. Erweiterungen zur Höchstintegration

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 169-206

  13. Bipolar-Technologie

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 207-216

  14. Montage integrierter Schaltungen

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 217-236

  15. Back Matter

    Pages 237-263
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Keywords

About this book

Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Lehrbuch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.

Authors and Affiliations

  • Fakultät Elektrotechnik, Informatik, Universität Paderborn, Paderborn, Germany

    Ulrich Hilleringmann

About the author

Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann ist Leiter des Fachgebietes Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Messtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.

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