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Silizium-Halbleitertechnologie

Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik

  • Textbook
  • © 2023

Overview

Authors:
  1. Ulrich Hilleringmann

    1. Fakultät für Elektrotechnik, Informatik und Mathematik, Universität Paderborn, Paderborn, Deutschland

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  • Umfassende Darstellung der Fertigungsverfahren bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen
  • Fertigungsverfahren und Technologien in der Mikroelektronik
  • Aktuelle Verfahren der mikroelektronischen Integrationstechnik

  • 6827 Accesses

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Table of contents (15 chapters)

  1. Front Matter

    Pages I-XII
    Download chapter PDF

  2. Einleitung

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 1-4

  3. Herstellung von Siliziumscheiben

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 5-21

  4. Oxidation des Siliziums

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 23-34

  5. Lithografie

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 35-61

  6. Ätztechnik

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 63-84

  7. Dotiertechniken

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 85-109

  8. Depositionsverfahren

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 111-129

  9. Metallisierung und Kontakte

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 131-148

  10. Scheibenreinigung

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 149-157

  11. MOS-Technologien zur Schaltungsintegration

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 159-185

  12. Erweiterungen zur Höchstintegration

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 187-220

  13. Transistoren mit Nanometer-Abmessungen

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 221-245

  14. Bipolar-Technologie

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 247-257

  15. Montage integrierter Schaltungen

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 259-280

  16. Anhänge

    • Ulrich Hilleringmann
    Pages 281-302

  17. Back Matter

    Pages 303-309
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Keywords

About this book

Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D-Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab. 

Authors and Affiliations

  • Fakultät für Elektrotechnik, Informatik und Mathematik, Universität Paderborn, Paderborn, Deutschland

    Ulrich Hilleringmann

About the author

Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.

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